1. REL:穩定度概述(Reliability Overview)
2. OT:氧化層穿隧(Oxide Tunneling)
3. RAD:輻射穩定度(Radiation Reliability)
4. SiO2:氧化層生長及穩定度(Oxide Growth and Reliability)
5. NO:氮化氧化層(Nitrided Oxides)
6. HK:高介電常數介電層(High K Dielectics)
7. NVM:非揮發性記憶體(Non-volatile Memory)
8. DRAM:動態隨機存取記憶體(Dynamic RAM)
9. NT:最新技術(New Technology)

本課程主要之討論內容為氧化層之穩定度，在現今IC製程中，氧化層厚度已薄至2nm以下，其對金氧半元件穩定度之影響相當重要，因此相關之製程及特性應加以瞭解。元件在輻射線之環境下，特性會受影響，因此必需加以防範，相關之知識將於本課程中提及。此外，最新記憶體元件氧化層技術及結構亦在本課程中介紹，欲對金氧半相關元件有較深入認識之研究生應具備本課程之知識。

1. T.Hori, 1997 “Gate Dielectrics and MOS ULSIs”
2. S.Wolf, 1995 “Silicon Processing for the VLSI Era, Volume 3 -The Submicron MOSFET”
3. T.P.Ma and P.V.Dressendorfer,1989“Ionizing Radiation Effects in MOS Devices and Circuits”
4. Betty Prince, 2002 “Emerging Memories-Technologies and Trends”
5. IEDM papers

小考四至五次(open book)佔40%
期中、期末考(closed book)平均佔60%

預修課程：固態電子學，金氧半電容元件